工件台功能多元:支持圆周旋转与扫描运动模式,刻蚀角度可灵活调节,确保的刻蚀均匀性;同时兼容刻蚀与抛光双重功能,满足多样化工艺需求。
低温刻蚀:工件台配备水冷系统,能有效控制晶片温度,为低温刻蚀工艺提供稳定环境。
电荷控制可选配:可根据需求配置等离子体中和,避免晶片表面产生电荷积累,提升工艺稳定性。
参数重复性:可选配法拉测束装置,监控工艺参数,确保批量化生产中的参数一致性与可重复性。
真空系统灵活选:真空系统支持分子泵或低温泵配置,可适配不同工艺场景的真空度要求。
工件台参数
适用晶片尺寸:2"~6",同时兼容不规则方片
运动模式:支持圆周旋转与往复扫描运动
离子源性能
类型:考夫曼离子源
离子束能量:0eV~1000eV 连续可调,满足不同材料的刻蚀能量需求
束流规格:圆形束大 200mA,条形束大 300mA
刻蚀均匀性:片内均匀性 ±5%,片间均匀性 ±3%,保证高一致性的加工质量