ALD原子层沉积镀膜设备,半导体镀膜沉积,AL2O3,TIO2,SIO2,ZNO2纳米技术沉积,

     原子层沉积技术以精准控制薄膜层厚度，均匀性，保型性而著称，广泛应用于集成电路(IC）行业，它使得电子器件持续微型化成为可能，逐渐成为了微电子器件制造，半导体领域的必要技术。例如用于制备晶体管栅堆垛、刻蚀终止层。磐石创新研制的原子层沉积系统，可容纳4英寸基片沉积，优化的辐射加热系统，使温度均匀性高达99%，气流优化设计结合前驱体瓶加热，管路加热，实现在4英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%。

     可以根据客户特殊工艺要求定制加工，配置升级。

  紧凑型原子层沉积系统，系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜。（可沉积氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
       应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层，非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源，用于前驱体以及反应物，同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。

ALD原子层沉积设备特点

·不均匀性低于1%；
·阳极氧化铝腔体；
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量；
·较大可支持4英寸的基片；
·较多支持4路50cc/100cc前驱体源；
·高深宽比结构的保形生长。

技术参数