LPCVD 技术是在 10-1000Pa 的低压环境中，通过气态反应物在加热基片表面发生化学反应，实现固态薄膜沉积的工艺。其核心原理包含四个关键步骤：首先是气体输运，将硅烷、氨气、一氧化二氮等反应气体精准引入反应腔室，为反应提供物质基础；其次是表面吸附，在 400-800℃的基片表面，气体分子经物理与化学吸附形成吸附层，这是反应的前置条件；接着是化学反应，高温下吸附的气体分子分解或相互反应，生成二氧化硅、氮化硅、多晶硅等固态沉积物，构成半导体器件的关键功能层；最后是副产物排出，通过真空泵及时排出反应副产物，维持反应环境纯净，**薄膜沉积稳定持续。
在半导体产业中，LPCVD 有着多元应用。在半导体制造领域，其可沉积介质层，如用作栅较绝缘层、层间介质和刻蚀阻挡层的二氧化硅与氮化硅薄膜；也能沉积多晶硅，用于制作栅较电极和局部互连材料；还可通过沉积磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等形成掺杂层，调控材料电学性质。在微纳加工领域，LPCVD 可制备 MEMS 器件的多晶硅悬臂梁等结构层，以及光电器件的光波导、布拉格光栅等薄膜材料。在先进封装领域，它能在硅通孔填充工艺中均匀填充导电材料，实现芯片垂直互连，还可沉积重布线层隔离层，提高封装可靠性。